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《标题》参数
显示分解能力:0.1/1/10μm
显示范围:-99.9999～99.9999mm
应答速度:2000mm/sec
输入I/O:○(-NG/OK/+NG、复位/峰值清零/其他)
输
《标题》参数
显示分解能力:0.1/1/10μm
显示范围:-99.9999～99.9999mm
应答速度:2000mm/sec
输入I/O:○(-NG/OK/+NG、复位/峰值清零/其他)
输
《标题》参数
测定范围:5mm
最小读取量:0.5μm
指示精度:1μm
测量力:0.3N以下
应答速度:1000mm/sec
保护等级:无
原点位置:距点击固
《标题》参数
测定范围:5mm
最小读取量:0.5μm
指示精度:1μm
测量力:1.08N以下
应答速度:1000mm/sec
保护等级:IP66等同
原点位置:
《标题》参数
测定范围:5mm
最小读取量:0.5μm
指示精度:1μm
测量力:1.08N以下
应答速度:1000mm/sec
保护等级:IP66等同
原点位置:
《标题》特点
全型字型:15个字符/行4(1616点矩阵符号及中文字)
半型字型:30个字符/行8(88点矩阵符号及中文字)
EPROM:内建13,000个1616中文
《标题》参数
测定范围:10mm
最小读取量:0.5μm
指示精度:1μm
测量力:0.3N以下
应答速度:2000mm/sec
保护等级:无
原点位置:距行程
安装方式:DIN导轨或平板安装
振动:IEC68-2-6
开关量输入通道数量:4
输入电压:12/24VDC
开关量输出通道数量:4
通道最大负载电流:1Amp
《标题》参数
测定范围:10mm
最小读取量:0.5μm
指示精度:1μm
测量力:1.08N以下
应答速度:2000mm/sec
保护等级:IP67等同
原点位置:
《标题》产品参数
适合硅片尺寸:6
刻蚀介质:Al/0.5～1％ Si/0.5～4％ Cu、Ti、TiN
刻蚀速度:Al-Si-Cu＞5000埃 TiN＞2000埃
不均匀性:片内 ≤
《标题》参数
测定范围:10mm
最小读取量:0.5μm
指示精度:1μm
测量力:0.3N以下
应答速度:2000mm/sec
保护等级:无
原点位置:距行程
安装方式:DIN导轨或平板安装
振动:IEC68-2-6
开关量输入通道数量:4
输入电压:12/24VDC
模拟量输入通道数量:4
输入信号范围:4-20mA
输
《标题》产品参数
结构形式:单管或多管卧式热壁型
淀积薄膜:多晶硅、氮化硅、二氧化硅
生产率:100片/炉
膜厚度均匀性:片内 ≤±5％ 片间 ≤±7
《标题》参数
测定范围:10mm
最小读取量:0.5μm
指示精度:1μm
测量力:1.08N以下
应答速度:2000mm/sec
保护等级:IP67等同
原点位置:
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