工业网络
控制系统
运动控制
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仪器仪表
软件系统
电源产品
机器人
PLC
三菱电机
(65)
安控科技
(2)
伦茨
(2)
武汉博控
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施耐德电气
(20)
瑞诺
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光洋电子
(10)
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(3)
基恩士
(5)
安川电机
(6)
精敏
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台达
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森创
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欧姆龙
(17)
上尚
(3)
正泰
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包米勒
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(5)
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(2)
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(9)
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(16)
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(32)
伊顿
(9)
威琅
(3)
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VEGA
(2)
霍尼韦尔
(8)
罗克韦尔
(8)
威图
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(19)
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(65)
正泰
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凯本隆
(11)
图像处理单元
申联机电
(2)
光洋电子
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普尔
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威申
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欧迈特
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监视器
正维
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上尚
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Autonics
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艾乐尔
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(2)
易艾斯德
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MOXA
(4)
西门子
(12)
东土
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奈特科姆
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华控
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阿沃德
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众为兴
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怡忠
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厦门伟然
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(3)
凌华
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施克
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和泉电气
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ifm
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台达
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威琅
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上尚DT-200 数据终端设备
01-24
特点 特点:低成本 简单现场配线 RS-485数据传输 : 57600位/ 秒 规格 适用:可解读Code 39，Interleaved 25条形码 可接WAND，CCD 扫描仪以及雷
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七星华创台面腐蚀机
01-24
产品参数 形式:全自动形式 外形尺寸:3100mmmm1400mmmm2500mm（长宽高） 适用硅片:4 装片能力:50片/批 （2花篮，25片/花篮） 工作
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SIXNETRTU-VersaTRAK VT-IPM-2410控制器
01-24
中央处理器:工业PowerPC32数据位总线,特有通信协处理器 实时操作系统:嵌入式LINUX 动态存储器:16MDRAM（32位，零等待) 程序存储器:16MFlash
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上尚GW28 TCP/IP数据收集与监视终端
01-24
特点 特点:直接连接网络 320 x 240 图表 LCD AP 向下适用能力 通用的光纤连接 可选平行/串联口；可选触摸屏 看门狗时钟:1.0 sec 硬件自动复位
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七星华创显影机
01-24
产品参数 形式:全自动形式 外形尺寸:3500mmmm2000mmmm1800mm（长宽高） 适用硅片:4″ 装片能力:50片/批 （2花篮，25片/花篮） 工
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七星华创全自动清洗机
01-24
产品参数 形式:全自动形式 外形尺寸:3000mm1600mm2860mm（长宽高） 适用硅片:6" 装片能力:50片/批 （2花篮，25片/花篮） 工作区洁
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SIXNETRTU-VersaTRAK VT-IPM-1410控制器
01-24
中央处理器:工业PowerPC32数据位总线,特有通信协处理器 实时操作系统:嵌入式LINUX 动态存储器:16MDRAM（32位，零等待) 程序存储器:16MFlash
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七星华创等离子清洗机
01-24
产品参数 腔体尺寸:450mm450mm600mm(WHD) 清洗工件尺寸:300mm120mm10mm(WLH) 反应室极限真空:1Pa 射频电源:13.56MHz 50～600
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上尚GW21LC 以太网路控制器（TCP/IP Gateway）
01-24
特点 TCP/IP 连接模式:TCP server/TCP client/UDP 安全性:IP地址封包过滤 配置和固件升级带密码保护 配置选择:Telnet/Windows-based utility/We
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七星华创反应离子刻蚀机（RIE）
01-24
产品参数 适用晶片尺寸:2″～6″ 刻蚀线宽:0.8～0.35μm 刻蚀介质:氮化硅、多晶硅、砷化镓、磷化铟及铝等多种介质 刻蚀速率:3000～6000埃/分
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七星华创筒式等离子去胶机
01-24
产品参数 刻蚀硅片直径:3″ 极限真空:1.33Pa 工作压力:133～13.3Pa 自动闭环控制 刻蚀速度:100～200nm/min 均匀性:＜5％ 刻蚀深度:
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上尚DCS-19 现场数据采集终端
01-24
特点 全型字型:15个字符/行4(1616点矩阵符号及中文字) 半型字型:30个字符/行8(88点矩阵符号及中文字) EPROM:内建13,000个1616中文字型库
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七星华创M-RIE金属刻蚀系统
01-24
产品参数 适合硅片尺寸:6 刻蚀介质:Al/0.5～1％ Si/0.5～4％ Cu、Ti、TiN 刻蚀速度:Al-Si-Cu＞5000埃 TiN＞2000埃 不均匀性:片内 ≤±5％ 片
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七星华创卧式PECVD平板型等离子增强化学气相淀积系统
01-24
产品参数 结构形式:单管或多管卧式热壁型 淀积薄膜:多晶硅、氮化硅、二氧化硅 生产率:100片/炉 膜厚度均匀性:片内 ≤±5％ 片间 ≤±7％ 批间
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七星华创低压化学气相淀积系统（LPCVD）
01-24
产品参数 硅片尺寸:适用6″（φ150mm） 装片数量:25～100片/炉管 工作温度范围:350～1100℃ 温区长度及精度:760mm≤±1℃/500mm 温度梯度
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